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      電子模擬開關(guān)的模擬特性和開關(guān)特性


      發(fā)布時(shí)間:

      2021-07-28

      許多工程師第一次使用模擬開關(guān),往往會(huì)把模擬開關(guān)完全等同于機(jī)械開關(guān)。其實(shí)模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性,但和機(jī)械開關(guān)有所不同,它本身還具有半導(dǎo)體特性: 模擬開關(guān)的模擬特性  ?。?)導(dǎo)通電阻(Ron)隨輸入信號(hào)(Vin)變化而變化   圖1a是模擬開關(guān)的簡(jiǎn)單示意圖,由圖中可以看出模擬開關(guān)的常開常閉通道實(shí)際上是由兩個(gè)對(duì)偶的N溝道MOSFET與P溝道MOSFET構(gòu)成,可使信號(hào)雙向傳輸,如果將不同Vin值所對(duì)應(yīng)的P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻并聯(lián),可得到圖1b并聯(lián)結(jié)構(gòu)下Ron隨輸入電壓(Vin)的變化關(guān)系,如果不考慮溫度、電源電壓的影響,Ron隨Vin呈線性關(guān)系,將導(dǎo)致插入損耗的變化,使模擬開關(guān)產(chǎn)生總諧波失真(THD)。此外,Ron也受電源電壓的影響,通常隨著電源電壓的上升而減小。  ?。?)模擬開關(guān)輸入有嚴(yán)格的輸入信號(hào)范圍   由于模擬開關(guān)是半導(dǎo)體器件,當(dāng)輸入信號(hào)過(guò)低(低于負(fù)電源電壓)或者過(guò)高(高于正電源電壓)時(shí),MOSFET處于反向偏置,當(dāng)電壓達(dá)到某一值時(shí)(超出限值0.5~4V),此時(shí)開關(guān)無(wú)法正常工作,嚴(yán)重者甚至損壞。因此模擬開關(guān)在應(yīng)用中,一定要注意輸入信號(hào)不要超出規(guī)定的范圍。   模擬開關(guān)部分電路可以等效成圖2  ?。?)電荷注入   應(yīng)用機(jī)械開關(guān)我們當(dāng)然希望Ron越低越好,因?yàn)榈妥杩梢越档托盘?hào)的損耗。然而對(duì)于模擬開關(guān)而言,低Ron并非適用于所有的應(yīng)用,較低的Ron需要占據(jù)較大的芯片面積,從而產(chǎn)生較大的輸入電容(雜散電容),與構(gòu)成模擬開關(guān)的NMOS和PMOS管相伴的雜散電容引起的一種電荷變化稱為“電荷注入”。在每個(gè)開關(guān)周期其充電和放電過(guò)程會(huì)消耗更多的電流,而且還會(huì)產(chǎn)生正向尖峰和負(fù)向尖峰。時(shí)間常數(shù)t=RC,充電時(shí)間取決于負(fù)載電阻R和電容C,一般持續(xù)幾十ns。這說(shuō)明低Ron具有更長(zhǎng)的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間。為此,選擇模擬開關(guān)應(yīng)該綜合權(quán)衡Ron和注入電荷。   (4)開關(guān)斷開時(shí)仍會(huì)有感應(yīng)信號(hào)漏出   這一特性指的是當(dāng)模擬開關(guān)傳輸交流信號(hào)時(shí),在斷開情況下,仍然會(huì)有一部分信號(hào)通過(guò)感應(yīng)由輸入端傳到輸出端,或者由一個(gè)通道傳到另一個(gè)通道。通常信號(hào)的頻率越高,信號(hào)泄漏的程度越嚴(yán)重。  ?。?)傳輸電流比較小   模擬開關(guān)不同于機(jī)械開關(guān),它通常只能傳輸小電流,目前CMOS工藝的模擬開關(guān)允許連續(xù)傳輸?shù)碾娏鞔蠖嘈∮?00mA。   (6)邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流極小   機(jī)械開關(guān)邏輯控制端的驅(qū)動(dòng)電流往往都是mA級(jí),有時(shí)單純靠數(shù)字I/O很難驅(qū)動(dòng)。而模擬開關(guān)的邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流極小,一般低于nA級(jí)。因此,它完全可以由數(shù)字I/O直接驅(qū)動(dòng),從而達(dá)到降低功耗、簡(jiǎn)化電路的目的。 模擬開關(guān)的開關(guān)特性 ?  ?。?)信號(hào)可雙向傳輸   有些人習(xí)慣于把模擬開關(guān)的兩個(gè)常開常閉端稱之為輸入端,公共端稱之為輸出端,其實(shí)這只是根據(jù)模擬開關(guān)的具體應(yīng)用給予的臨時(shí)定義。模擬開關(guān)大多可以使信號(hào)雙向傳輸,如果忽略這一點(diǎn),就很容易使電路出現(xiàn)問(wèn)題,比如將電壓反向偏置、電流倒灌等。  ?。?)開關(guān)斷開后漏電流極小   模擬開關(guān)在斷開(OFF)時(shí)會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),兩傳輸端間的漏電流極小,一般只有nA級(jí)以下,很多模擬開關(guān)斷開后的漏電流約為1nA。這么微弱的電流在應(yīng)用中可忽略不計(jì),模擬開關(guān)此時(shí)可被認(rèn)為是理想斷開的。   模擬開關(guān)在斷開時(shí)的等效電路如圖3 總之,模擬開關(guān)是具有開關(guān)功能的半導(dǎo)體器件,在應(yīng)用過(guò)程中既要充分利用它的開關(guān)功能,又要考慮它的半導(dǎo)體特性,否則可能會(huì)出現(xiàn)意想不到的麻煩。

        

        許多工程師第一次使用模擬開關(guān),往往會(huì)把模擬開關(guān)完全等同于機(jī)械開關(guān)。其實(shí)模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性,但和機(jī)械開關(guān)有所不同,它本身還具有半導(dǎo)體特性:

      模擬開關(guān)的模擬特性

       ?。?)導(dǎo)通電阻(Ron)隨輸入信號(hào)(Vin)變化而變化

        圖1a是模擬開關(guān)的簡(jiǎn)單示意圖,由圖中可以看出模擬開關(guān)的常開常閉通道實(shí)際上是由兩個(gè)對(duì)偶的N溝道MOSFET與P溝道MOSFET構(gòu)成,可使信號(hào)雙向傳輸,如果將不同Vin值所對(duì)應(yīng)的P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻并聯(lián),可得到圖1b并聯(lián)結(jié)構(gòu)下Ron隨輸入電壓(Vin)的變化關(guān)系,如果不考慮溫度、電源電壓的影響,Ron隨Vin呈線性關(guān)系,將導(dǎo)致插入損耗的變化,使模擬開關(guān)產(chǎn)生總諧波失真(THD)。此外,Ron也受電源電壓的影響,通常隨著電源電壓的上升而減小。

       ?。?)模擬開關(guān)輸入有嚴(yán)格的輸入信號(hào)范圍

        由于模擬開關(guān)是半導(dǎo)體器件,當(dāng)輸入信號(hào)過(guò)低(低于負(fù)電源電壓)或者過(guò)高(高于正電源電壓)時(shí),MOSFET處于反向偏置,當(dāng)電壓達(dá)到某一值時(shí)(超出限值0.5~4V),此時(shí)開關(guān)無(wú)法正常工作,嚴(yán)重者甚至損壞。因此模擬開關(guān)在應(yīng)用中,一定要注意輸入信號(hào)不要超出規(guī)定的范圍。

        模擬開關(guān)部分電路可以等效成圖2

       ?。?)電荷注入

        應(yīng)用機(jī)械開關(guān)我們當(dāng)然希望Ron越低越好,因?yàn)榈妥杩梢越档托盘?hào)的損耗。然而對(duì)于模擬開關(guān)而言,低Ron并非適用于所有的應(yīng)用,較低的Ron需要占據(jù)較大的芯片面積,從而產(chǎn)生較大的輸入電容(雜散電容),與構(gòu)成模擬開關(guān)的NMOS和PMOS管相伴的雜散電容引起的一種電荷變化稱為“電荷注入”。在每個(gè)開關(guān)周期其充電和放電過(guò)程會(huì)消耗更多的電流,而且還會(huì)產(chǎn)生正向尖峰和負(fù)向尖峰。時(shí)間常數(shù)t=RC,充電時(shí)間取決于負(fù)載電阻R和電容C,一般持續(xù)幾十ns。這說(shuō)明低Ron具有更長(zhǎng)的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間。為此,選擇模擬開關(guān)應(yīng)該綜合權(quán)衡Ron和注入電荷。

       ?。?)開關(guān)斷開時(shí)仍會(huì)有感應(yīng)信號(hào)漏出

        這一特性指的是當(dāng)模擬開關(guān)傳輸交流信號(hào)時(shí),在斷開情況下,仍然會(huì)有一部分信號(hào)通過(guò)感應(yīng)由輸入端傳到輸出端,或者由一個(gè)通道傳到另一個(gè)通道。通常信號(hào)的頻率越高,信號(hào)泄漏的程度越嚴(yán)重。

       ?。?)傳輸電流比較小

        模擬開關(guān)不同于機(jī)械開關(guān),它通常只能傳輸小電流,目前CMOS工藝的模擬開關(guān)允許連續(xù)傳輸?shù)碾娏鞔蠖嘈∮?00mA。

       ?。?)邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流極小

        機(jī)械開關(guān)邏輯控制端的驅(qū)動(dòng)電流往往都是mA級(jí),有時(shí)單純靠數(shù)字I/O很難驅(qū)動(dòng)。而模擬開關(guān)的邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流極小,一般低于nA級(jí)。因此,它完全可以由數(shù)字I/O直接驅(qū)動(dòng),從而達(dá)到降低功耗、簡(jiǎn)化電路的目的。

      模擬開關(guān)的開關(guān)特性

       

        (1)信號(hào)可雙向傳輸

        有些人習(xí)慣于把模擬開關(guān)的兩個(gè)常開常閉端稱之為輸入端,公共端稱之為輸出端,其實(shí)這只是根據(jù)模擬開關(guān)的具體應(yīng)用給予的臨時(shí)定義。模擬開關(guān)大多可以使信號(hào)雙向傳輸,如果忽略這一點(diǎn),就很容易使電路出現(xiàn)問(wèn)題,比如將電壓反向偏置、電流倒灌等。

       ?。?)開關(guān)斷開后漏電流極小

        模擬開關(guān)在斷開(OFF)時(shí)會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),兩傳輸端間的漏電流極小,一般只有nA級(jí)以下,很多模擬開關(guān)斷開后的漏電流約為1nA。這么微弱的電流在應(yīng)用中可忽略不計(jì),模擬開關(guān)此時(shí)可被認(rèn)為是理想斷開的。

        模擬開關(guān)在斷開時(shí)的等效電路如圖3

      總之,模擬開關(guān)是具有開關(guān)功能的半導(dǎo)體器件,在應(yīng)用過(guò)程中既要充分利用它的開關(guān)功能,又要考慮它的半導(dǎo)體特性,否則可能會(huì)出現(xiàn)意想不到的麻煩。


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